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Microwave Technology

Microwave Technology

Introduction

Microwave Technology - MicroWave Technology, Inc. est un fabricant leader de solutions RF & amp; produits semi-conducteurs discrets hyperfréquences, amplificateurs de puissance RF GaAs et GaN, dispositifs pHEMT à faible bruit, MMIC, amplificateurs sans fil, modules hybrides et amplificateurs hyperfréquences avec connecteur.
Située dans la Silicon Valley en Californie, MicroWave Technology, Inc. (MwT) a été fondée en 1982 par des responsables techniques possédant une vaste expérience de la conception et de la fabrication de dispositifs à l’arséniure de gallium (GaAs). Avec une usine occupant une superficie de 35 000 pieds carrés, les principaux actifs de l’entreprise comprennent à la fois son usine de fabrication de semi-conducteurs en GaAs et une usine de fabrication de circuits intégrés à micro-ondes hybrides et à fils (HMIC). La fabrication verticale et la solidité du produit offrent une flexibilité et des opportunités rares sur le marché des composants à micro-ondes.
MwT est un important fabricant américain de diodes et de transistors discrets à l’arséniure de gallium (FET, pHEMT et Gunn Diodes) basés aux États-Unis. Les travaux initiaux axés sur la fiabilité des appareils ont abouti à la mise au point de systèmes de métallisation exclusifs qui rendent les appareils de MwT insensibles à la contamination par l’hydrogène, qui préoccupe désormais beaucoup le secteur de la haute fiabilité. Ces dispositifs utilisent des matériaux épi propriétaires et une technologie de traitement de porte encastrée d’un quart de micron, ce qui permet d’obtenir des résultats très linéaires (+48 dBm IP3 dans un ampli sans fil 1 W P-1 dB) et à faible bruit de phase (décalage de -125 dBc à 100 KHz dans un environnement 17,5) GHz DRO) avec une puissance allant de 10 milliwatts à 5 watts. Ces dispositifs, vendus sous forme de puces ou en paquets, ont une large utilisation pour l’ampli fi cation de signaux de 10 MHz à 40 GHz lors de la transmission ou de la réception d’informations dans des systèmes d’infrastructure sans fil, des applications RF industrielles et dans divers appareils électroniques de défense et de l’espace.
En tirant parti des caractéristiques de distorsion d’intermodulation faibles des FET GaAs de MwT, la société jouit d’une réputation grandissante pour sa gamme de produits, de petits modules d’amplification de transmission et de réception montés en surface et montés en surface, destinés à la multi-porteuse et / ou à la modulation numérique (haute ) infrastructure sans fil et systèmes de communication militaires. Les applications principales sont les frontaux des récepteurs et les ampli fi cateurs de sortie pilote ou picocellules dans les stations de base cellulaires, PCS et WLL et les communications à haute fiabilité militaire. Il convient de noter que les nouveaux produits ont une perte de retour d’entrée et de sortie extrêmement faible, ce qui facilite l’insertion de gain dans des cascades d’amplificateurs de puissance très critiques à linéarité élevée. MwT offre à ses clients internes et externes une capacité de traitement des circuits en film mince éprouvée et hautement fiable. Utilisant une construction de microcircuits hybrides à couches minces, MwT produit et commercialise divers produits d'ampli fi cateur modulaire standard à 26 GHz. Ces modules constituent également des éléments de construction permettant à MwT de concevoir et de fabriquer des ampli fi cateurs standard ainsi que des connecteurs sur mesure pour les applications de défense et de télécommunication.
MwT a de nombreuses années d'expérience dans la création de conceptions spécialisées pour les clients et dispose d'une vaste bibliothèque de conceptions personnalisées basées sur des périphériques MwT. MwT utilise à la fois ses versions standard et ses versions personnalisées pour produire des amplificateurs et des produits de niveau carte spécialisés. Notre expérience et notre expérience éprouvées peuvent vous aider à économiser sur les coûts de conception, de temps et d'ingénierie. Les exemples incluent le LNA basse fréquence, l’amplificateur d’amplificateur LNA sans fil, les blocs de construction intégrés, les oscillateurs haute fréquence, les cartes d’évaluation et les extensions de test.

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Produits semi-conducteurs discrets

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