Le 29 août 2024, SK Hynix a annoncé le premier développement réussi de 16 Go au monde (Gigabit) DDR5 DRAM en utilisant le processus nanométrique de sixième génération 10 (1C).En conséquence, la société a démontré au monde sa technologie de stockage ultra amende avec un diamètre d'un peu plus de 10 nanomètres.
SK Hynix a souligné: "Avec la transmission de génération par génération de la technologie DRAM de 10 nanomètres, la difficulté de microfabrication a également augmenté. Cependant, la société a amélioré sa conception en fonction de la technologie de cinquième génération (1b) reconnue pour ses performances les plus élevées dans laL'industrie, et a pris les devants en franchissant les limites technologiques.
La société a développé le processus 1C en élargissant la plate-forme DRAM 1B.L'équipe de technologie SK Hynix estime que cela peut non seulement réduire la possibilité d'essais et d'erreurs pendant le processus de mise à niveau des processus, mais également de transférer efficacement l'avantage de processus SK Hynix 1B, qui est reconnu pour son DRAM la plus performance dans l'industrie, à laProcessus 1C.
De plus, SK Hynix a développé et appliqué de nouveaux matériaux dans certains processus EUV, et optimisé les processus applicables de l'EUV tout au long du processus, garantissant ainsi la compétitivité des coûts.Dans le même temps, l'innovation de la technologie de conception a également été réalisée dans le processus 1C, et par rapport au processus de génération 1B précédente, sa productivité a augmenté de plus de 30%.
Ce DMR5 DDR5 1C sera principalement utilisé dans les centres de données hautes performances, avec une vitesse d'exécution de 8 Gbit / s (8 gigabits par seconde), une augmentation de 11% de la vitesse par rapport à la génération précédente.De plus, l'efficacité énergétique a également augmenté de plus de 9%.Avec l'avènement de l'ère de l'IA, la consommation d'énergie des centres de données continue d'augmenter.Si les clients mondiaux opérant les services cloud adoptent SK Hynix 1C DRAM dans leurs centres de données, la société prédit que leurs factures d'électricité peuvent être réduites jusqu'à 30%.
Le vice-président du développement de SK Hynix DRAM, Kim Jong Hwan, a déclaré: "La technologie de processus 1C combine les performances les plus élevées et les plus grandes compétitivité, et la société l'applique à la dernière génération de HBM *, LPDDR6 *, GDDR7 * et d'autres groupes de produits avancés de DRAM avancés,offrant ainsi une valeur différenciée aux clients.
* HBM (Mémoire de bande passante élevée): un produit à haute valeur à valeur ajoutée et haute performance qui connecte verticalement plusieurs DRAM et améliore considérablement la vitesse de traitement des données par rapport au DRAM.Les produits HBM DRAM sont développés dans l'Ordre de HBM (première génération) - HBM2 (deuxième génération) - HBM2E (troisième génération) - HBM3 (quatrième génération) - HBM3E (cinquième génération) - HBM4 (sixième génération) - HBM4E (septième génération).
* LPDDR (débit de données à double puissance): Il s'agit d'une spécification DRAM utilisée dans des produits mobiles tels que les smartphones et les tablettes, dans le but de minimiser la consommation d'énergie et de comporter un fonctionnement à basse tension.Le nom de spécification est LP (faible puissance), et la dernière spécification est LPDDR Seventh Generation (5X), développée dans l'ordre du 1-2-3-4-4X-5X-6.
* GDDR (Graphics DDR, Double Data Transfer Cate Memory for Graphics): une spécification DRAM standard pour les graphiques spécifiés par l'Organisation internationale des normes de périphérique semi-conducteur (JEDEC).Spécification spécialement conçue pour le traitement des graphiques, cette série de produits est développée dans l'ordre de 3, 5, 5x, 6 et 7. Plus la série est plus récente, plus elle fonctionne rapidement et plus son efficacité énergétique est élevée.Ce produit a attiré l'attention en tant que mémoire haute performance largement utilisée dans les domaines des graphiques et de l'intelligence artificielle.
