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Spécifications

Modèle de produit

1N459
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1N459.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1V @ 100mA
Tension - inverse (Vr) (max)

200V
Package composant fournisseur

DO-35
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

DO-204AH, DO-35, Axial
Température d'utilisation - Jonction

175°C (Max)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 200V 500mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr

25nA @ 175V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

500mA
Capacité à Vr, F

6pF @ 0V, 1MHz
Numéro de pièce de base

1N459

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Ce qui suit est des produits liés à "1N459".

1N4590

La description: DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA

Fabricant: GeneSiC Semiconductor

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