2N5679

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Spécifications

Modèle de produit

2N5679
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

PNP 100V 1A 10W /2N5681 COMPLMT
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N5679.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

TO-39
Séries

-
Puissance - Max

1W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Température de fonctionnement

-
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 1W Through Hole TO-39
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 250mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A
Numéro de pièce de base

2N5679

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Ce qui suit est des produits liés à "2N5679".

2N5662

La description: NPN TRANSISTOR

Fabricant: Microsemi

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