2N5830

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Spécifications

Modèle de produit

2N5830
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 100V 0.2A TO-92
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2N5830.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-92-3
Séries

-
Puissance - Max

625mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 200mA 625mW Through Hole TO-92-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

200mA
Numéro de pièce de base

2N5830

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "2N5830".

2N5873

La description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

Fabricant: Microsemi

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2N5830

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