2N5885G

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Spécifications

Modèle de produit

2N5885G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 60V 25A TO3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2N5885G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

4V @ 6.25A, 25A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-204 (TO-3)
Séries

-
Puissance - Max

200W
Emballage

Tray
Package / Boîte

TO-204AA, TO-3
Autres noms

2N5885GOS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

4MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 25A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 10A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

2mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

25A
Numéro de pièce de base

2N5885

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "2N5885G".

2N5884

La description: TRANS PNP 80V 25A TO3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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