2N7051_D10Z

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Spécifications

Modèle de produit

2N7051_D10Z
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2N7051_D10Z.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA
Transistor Type

NPN - Darlington
Package composant fournisseur

TO-92-3
Séries

-
Puissance - Max

625mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

200MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 1.5A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

200nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1.5A
Numéro de pièce de base

2N7051

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Ce qui suit est des produits liés à "2N7051_D10Z".

2N7002WST1G

La description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SC70

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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