2SA2127-AE

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Spécifications

Modèle de produit

2SA2127-AE
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP 50V 2A TO92-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2SA2127-AE.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 1A
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

3-MP
Séries

-
Puissance - Max

1W
Emballage

Tape & Box (TB)
Package / Boîte

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Autres noms

2SA2127-AE-ND
2SA2127-AEOSTB
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

420MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 420MHz 1W Through Hole 3-MP
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

2A

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Ce qui suit est des produits liés à "2SA2127-AE".

2SA2154CT-GR,L3F

La description: TRANS PNP 50V 0.1A

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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