2SD1685G

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Spécifications

Modèle de produit

2SD1685G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 20V 5A TO-126ML
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2SD1685G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 60mA, 3A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-126ML
Séries

-
Puissance - Max

1.5W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-225AA, TO-126-3
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

120MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 5A 120MHz 1.5W Through Hole TO-126ML
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

280 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

5A

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Ce qui suit est des produits liés à "2SD1685G".

2SD1758TLQ

La description: TRANS NPN 32V 2A SOT-428

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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