2SK3707-1E

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Spécifications

Modèle de produit

2SK3707-1E
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 20A
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2SK3707-1E.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220F-3SG
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2W (Ta), 25W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 20A (Ta) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20A (Ta)

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2SK3737-5-TL-E

La description: FET RF

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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