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BAS16TT1G

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Spécifications

Modèle de produit

BAS16TT1G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BAS16TT1G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.25V @ 150mA
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
Package composant fournisseur

SC-75, SOT-416
La vitesse

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

6ns
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

SC-75, SOT-416
Autres noms

BAS16TT1GOSDKR
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

25 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SC-75, SOT-416
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 75V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

200mA (DC)
Capacité à Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz
Numéro de pièce de base

BAS16

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BAS16VV-7

La description:

Fabricant: Diodes Incorporated

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