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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BC639_D26Z
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BC639_D26Z

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Spécifications
  • Modèle de produit
    BC639_D26Z
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN 80V 1A TO-92
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    BC639_D26Z.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    80V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Transistor Type
    NPN
  • Package composant fournisseur
    TO-92-3
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    1W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    100MHz
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 1W Through Hole TO-92-3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    40 @ 150mA, 2V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    1A
  • Numéro de pièce de base
    BC639

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Expédition
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BC63916_D26Z

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BC639_D27Z

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La description: TRANS NPN 80V 1A TO-92

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RFQ
BC63916

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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BC639_J35Z

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La description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 40-QFN

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