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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BD13716STU

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BD13716STU image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD13716STU

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Spécifications

Modèle de produit

BD13716STU
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 60V 1.5A TO-126
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BD13716STU.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-126-3
Séries

-
Puissance - Max

1.25W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-225AA, TO-126-3
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1.5A 1.25W Through Hole TO-126-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1.5A
Numéro de pièce de base

BD137

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Mode de paiement

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Expédition

Paiement

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La description: TRANS PNP 45V 1.5A TO-126

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La description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126

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BD13816STU

La description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126

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La description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126

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BD138

La description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-252AA

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BD137G

La description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-225AA

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La description: TRANS PNP 45V 1.5A TO-126

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BD13710STU

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BD137

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