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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BD179G
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6347494BD179G imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD179G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    BD179G
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN 80V 3A TO-225
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    BD179G.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    80V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    800mV @ 100mA, 1A
  • Transistor Type
    NPN
  • Package composant fournisseur
    TO-225AA
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    30W
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-225AA, TO-126-3
  • Autres noms
    BD179G-ND
    BD179GOS
  • Température de fonctionnement
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    2 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    3MHz
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 3A 3MHz 30W Through Hole TO-225AA
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    63 @ 150mA, 2V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100µA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    3A
  • Numéro de pièce de base
    BD179

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Expédition
Paiement
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