BD239ATU

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Spécifications

Modèle de produit

BD239ATU
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 60V 2A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.BD239ATU.pdf
2.BD239ATU.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 200mA, 1A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-220
Séries

-
Puissance - Max

30W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

2 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 30W Through Hole TO-220
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

300µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

2A
Numéro de pièce de base

BD239

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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