BD681G

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Spécifications

Modèle de produit

BD681G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BD681G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A
Transistor Type

NPN - Darlington
Package composant fournisseur

TO-225AA
Séries

-
Puissance - Max

40W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-225AA, TO-126-3
Autres noms

BD681GOS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-225AA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

4A
Numéro de pièce de base

BD681

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Ce qui suit est des produits liés à "BD681G".

BD679G

La description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO225

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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