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BDX33CTU

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Spécifications

Modèle de produit

BDX33CTU
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 100V 10A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.BDX33CTU.pdf
2.BDX33CTU.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 6mA, 3A
Transistor Type

NPN - Darlington
Package composant fournisseur

TO-220
Séries

-
Puissance - Max

70W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 70W Through Hole TO-220
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

10A
Numéro de pièce de base

BDX33

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Ce qui suit est des produits liés à "BDX33CTU".

BDX34C

La description: TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220

Fabricant: STMicroelectronics

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BDX33CTU

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