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BSP19AT1G

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Spécifications

Modèle de produit

BSP19AT1G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BSP19AT1G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

-
Puissance - Max

800mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

BSP19AT1GOSTR
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

70MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 70MHz 800mW Surface Mount SOT-223
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

20nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

BSP19

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Ce qui suit est des produits liés à "BSP19AT1G".

BSP19,115

La description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223

Fabricant: Nexperia

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