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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BU807TU
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BU807TU

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Spécifications
  • Modèle de produit
    BU807TU
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    BU807TU.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    150V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    1.5V @ 50mA, 5A
  • Transistor Type
    NPN - Darlington
  • Package composant fournisseur
    TO-220-3
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    60W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 150V 8A 60W Through Hole TO-220-3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    -
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    8A
  • Numéro de pièce de base
    BU807

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "BU807TU".
BU8770AFV-E2

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RFQ
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La description: TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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BU806

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La description: TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220

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La description: TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220

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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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