D44C12G

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Spécifications

Modèle de produit

D44C12G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 80V 4A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

D44C12G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

-
Puissance - Max

30W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

40MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 4A 40MHz 30W Through Hole TO-220AB
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

4A

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Ce qui suit est des produits liés à "D44C12G".

D44H11

La description: TRANSISTOR-SMALL SI SMD

Fabricant: Central Semiconductor

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