DBB08G-TM-E

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Spécifications

Modèle de produit

DBB08G-TM-E
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE BRIDGE 1PH 0.8A 600V 4SMD
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DBB08G-TM-E.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

600V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.05V @ 400mA
La technologie

Standard
Package composant fournisseur

4-SMD
Séries

-
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

4-SMD, Gull Wing
Autres noms

DBB08G-TM-E-ND
DBB08G-TM-EOSTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Single Phase
Description détaillée

Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Surface Mount 4-SMD
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

800mA

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "DBB08G-TM-E".

DBB03IPM

La description: IC DGTL BSBND DOLPH CHIP 64LQFP

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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