DSA26G

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Spécifications

Modèle de produit

DSA26G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 2.6A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DSA26G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

2.6A
Tension - Ventilation

-
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

Axial
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

DSA26G
Description élargie

Diode Standard 600V 2.6A Through Hole
Configuration diode

10µA @ 600V
La description

DIODE GEN PURP 600V 2.6A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr

1.05V @ 2.6A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

600V
Capacité à Vr, F

150°C (Max)

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DSA300I100NA

La description: DIODE SCHOTTKY 100V 300A SOT227B

Fabricant: IXYS Corporation

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