FCB11N60TM

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Spécifications

Modèle de produit

FCB11N60TM
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FCB11N60TM.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK
Séries

SuperFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

FCB11N60TMDKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

52 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1490pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11A (Tc)
Numéro de pièce de base

FCB11N60

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livraison
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FCB11N60FTM

La description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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