Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FCP099N65S3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
722097

FCP099N65S3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
800+
$2.714
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    FCP099N65S3
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
    FCP099N65S3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 3mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220-3
  • Séries
    SuperFET® III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    227W (Tc)
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2480pF @ 400V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    61nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    30A (Tc)

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "FCP099N65S3".
FCP1206C123J

FCP1206C123J

La description: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
FCP0805H821J

FCP0805H821J

La description: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
FCP110N65F

FCP110N65F

La description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FCP099N60E

FCP099N60E

La description: MOSFET N-CH 600V TO220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FCP0805H821G-J1

FCP0805H821G-J1

La description: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
FCP11N60N-F102

FCP11N60N-F102

La description: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FCP1206C123G-H1

FCP1206C123G-H1

La description: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
FCP0805H681G

FCP0805H681G

La description: CAP FILM 680PF 2% 50VDC 0805

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
FCP0805H681J

FCP0805H681J

La description: CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
FCP11N60N

FCP11N60N

La description: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FCP0805H681G-J1

FCP0805H681G-J1

La description: CAP FILM 680PF 2% 50VDC 0805

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
FCP11N60

FCP11N60

La description: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FCP0805H821J-J1

FCP0805H821J-J1

La description: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
FCP104N60

FCP104N60

La description: MOSFET N-CH 600V 37A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FCP11N60F

FCP11N60F

La description: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FCP104N60F

FCP104N60F

La description: MOSFET N-CH 600V TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FCP0805H561J-J1

FCP0805H561J-J1

La description: CAP FILM 560PF 5% 50VDC 0805

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
FCP0805H821G

FCP0805H821G

La description: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
FCP1206C123G

FCP1206C123G

La description: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
FCP0805H681J-J1

FCP0805H681J-J1

La description: CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.