FCP150N65F

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Spécifications

Modèle de produit

FCP150N65F
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 24A TO220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FCP150N65F.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.4mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

HiPerFET™, Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)

298W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3737pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 24A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

24A (Tc)

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FCP130N60

La description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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