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FDA75N28

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Spécifications

Modèle de produit

FDA75N28
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 280V 75A TO-3P
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDA75N28.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-3PN
Séries

UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

41 mOhm @ 37.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

520W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

144nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

280V
Description détaillée

N-Channel 280V 75A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-3PN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

75A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "FDA75N28".

FDA801B-VYY

La description: IC PWR AMP CLASS D 64-LQFP

Fabricant: STMicroelectronics

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