FDC021N30

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Spécifications

Modèle de produit

FDC021N30
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

PT8 N 30V/20V, MOSFET
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

FDC021N30.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SuperSOT™-6
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 6.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

700mW (Ta)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

SOT-23-6
Autres noms

FDC021N30DKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.1A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "FDC021N30".

FDC1004QEVM

La description: EVAL MOD CAP-DGTL CONV FDC1004

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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