FDC3512

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Spécifications

Modèle de produit

FDC3512
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDC3512.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SuperSOT™-6
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

77 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.6W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms

FDC3512-ND
FDC3512TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

30 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

634pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

80V
Description détaillée

N-Channel 80V 3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "FDC3512".

FDC2612_F095

La description: MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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