FDC5614P

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Spécifications

Modèle de produit

FDC5614P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDC5614P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SuperSOT™-6
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.6W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms

FDC5614PTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

30 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

759pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

P-Channel 60V 3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Ta)

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livraison
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FDC5661N-F085

La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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