FDC608PZ

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Spécifications

Modèle de produit

FDC608PZ
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDC608PZ.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SuperSOT™-6
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.6W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms

FDC608PZTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 5.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.8A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "FDC608PZ".

FDC6020C_F077

La description: MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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