FDD8780

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Spécifications

Modèle de produit

FDD8780
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDD8780.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252AA
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 35A, 10V
Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

FDD8780CT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 13V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

25V
Description détaillée

N-Channel 25V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

35A (Tc)

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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FDD8778

La description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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