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FDI8442

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Spécifications

Modèle de produit

FDI8442
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDI8442.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAK (TO-262)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max)

254W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

12200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

N-Channel 40V 23A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

23A (Ta), 80A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "FDI8442".

FDI040N06

La description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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