FDMC0310AS

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Spécifications

Modèle de produit

FDMC0310AS
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMC0310AS.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-MLP (3.3x3.3)
Séries

PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 19A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.4W (Ta), 36W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

FDMC0310ASCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3165pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 19A (Ta), 21A (Tc) 2.4W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

19A (Ta), 21A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FDMC0310AS".

FDMC010N08LC

La description: FET 80V 10.0 MOHM PQFN33

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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