220542

FDMC4435BZ

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Spécifications

Modèle de produit

FDMC4435BZ
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMC4435BZ.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-MLP (3.3x3.3)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.3W (Ta), 31W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

FDMC4435BZCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2045pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8.5A (Ta), 18A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FDMC4435BZ".

FDMC2674

La description: MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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