FDMC6683PZ

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Spécifications

Modèle de produit

FDMC6683PZ
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IC POWER MANAGEMENT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMC6683PZ.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-MLP (3.3x3.3)
Séries

PowerTrench®
Dissipation de puissance (max)

26W (Tc)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7995pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 40A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

40A (Tc)

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FDMC510P

La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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