FDMC8010DC

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Spécifications

Modèle de produit

FDMC8010DC
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMC8010DC.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PQFN (3.3x3.3)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.28 mOhm @ 37A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

FDMC8010DC-ND
FDMC8010DCOSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7080pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 15V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Standard
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 37A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

37A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FDMC8010DC".

FDMC8030

La description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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