FDMS0312AS

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Spécifications

Modèle de produit

FDMS0312AS
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 18A PT8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMS0312AS.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PQFN (5x6)
Séries

PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 36W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

FDMS0312ASTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1815pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

18A (Ta), 22A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FDMS0312AS".

FDMS1D4N03S

La description: MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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