FDMS8570SDC

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Spécifications

Modèle de produit

FDMS8570SDC
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 25V 28A PQFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMS8570SDC.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

Dual Cool™56
Séries

PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 28A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.3W (Ta), 59W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

FDMS8570SDCTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2825pF @ 13V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Schottky Diode (Body)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

25V
Description détaillée

N-Channel 25V 28A (Ta), 60A (Tc) 3.3W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount Dual Cool™56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

28A (Ta), 60A (Tc)

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livraison
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FDMS8558S

La description: MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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