FDMS86163P

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Spécifications

Modèle de produit

FDMS86163P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMS86163P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PQFN (5x6)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 7.9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 104W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

FDMS86163PDKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

34 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4085pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

P-Channel 100V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7.9A (Ta), 50A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FDMS86163P".

FDMS86103L

La description: MOSFET N-CH 100V 12A POWER56

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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