FDN358P

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Spécifications

Modèle de produit

FDN358P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FDN358P.pdf
2.FDN358P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SuperSOT-3
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

500mW (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

FDN358PCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

182pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.5A (Ta)

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Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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