FDP045N10A

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Spécifications

Modèle de produit

FDP045N10A
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDP045N10A.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)

263W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5270pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

120A (Tc)

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FDP053N08B-F102

La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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