1952300

FDP2D3N10C

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Spécifications

Modèle de produit

FDP2D3N10C
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

FDP2D3N10C.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 700µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)

214W (Tc)
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

22 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11180pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

222A (Tc)

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FDP3652

La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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