FDR6580

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Spécifications

Modèle de produit

FDR6580
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDR6580.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SuperSOT™-8
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 11.2A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SMD, Gull Wing
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3829pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 11.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11.2A (Ta)

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FDR25S-4

La description: CABLE STRANDED

Fabricant: TE Connectivity Raychem Cable Protection

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