FDS6375

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Spécifications

Modèle de produit

FDS6375
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDS6375.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

FDS6375TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

21 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2694pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "FDS6375".

FDS6570A

La description: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC

Fabricant: Fairchild/ON Semiconductor

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