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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDS6679

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4114424

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6679

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Spécifications

Modèle de produit

FDS6679
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDS6679.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

FDS6679CT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3939pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

13A (Ta)

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Expédition

Paiement

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FDS6673BZ

La description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC

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La description: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

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