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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDS7296N3

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FDS7296N3 image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS7296N3

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Spécifications

Modèle de produit

FDS7296N3
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDS7296N3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1540pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 15A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

15A (Ta)

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Expédition

Paiement

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La description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

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