FDS8958

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Spécifications

Modèle de produit

FDS8958
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FDS8958.pdf
2.FDS8958.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 7A, 10V
Puissance - Max

2W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

789pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 2W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7A, 5A

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FDS8949-F085

La description:

Fabricant: ON Semiconductor

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