FDT461N

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Spécifications

Modèle de produit

FDT461N
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FDT461N.pdf
2.FDT461N.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223-4
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 540mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.13W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

74pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 540mA (Ta) 1.13W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

540mA (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "FDT461N".

FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC

La description: COUPLING TRAY 4 SC UPC PIGS

Fabricant: 3M

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