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FDW252P

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Spécifications

Modèle de produit

FDW252P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDW252P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-TSSOP
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.3W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5045pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 8.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8.8A (Ta)

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FDW262P

La description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-TSSOP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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