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FJN3307RTA

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Spécifications
  • Modèle de produit
    FJN3307RTA
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    FJN3307RTA.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    TO-92-3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    22 kOhms
  • Puissance - Max
    300mW
  • Emballage
    Tape & Box (TB)
  • Package / Boîte
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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FJN3310RBU

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RFQ
FJN3311RBU

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RFQ
FJN3305RBU

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RFQ
FJN3303RTA

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RFQ
FJN3310RTA

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RFQ
FJN3306RBU

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RFQ
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RFQ
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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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La description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92

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FJN3306RTA

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